别再只会堆电容了:一份真正有用的 PCB 电源设计检查清单
高速高密电路的 PCB 电源设计问题与检查清单。
高速高密电路的 PCB 电源设计问题与检查清单
研究时间:2026-05-01
研究对象:高速高密 PCB 的电源分配网络(PDN/PDS)、电源完整性(PI)、去耦、层叠、BGA/HDI 供电、验证与调试
方法:横纵分析法
一句话判断
高速高密 PCB 的电源设计,已经从「把每路电压接过去」变成了「在芯片封装焊球处维持低阻抗、低噪声、低压降、可验证的动态供电系统」。真正的风险不在某一个 0.1 uF 电容少没少,而在整条链路:VRM、bulk 电容、板级去耦、平面电容、BGA/via、封装、片上电容、负载瞬态和测量方法有没有闭合。
如果只记一个原则,就是:
电源设计必须在架构阶段做,而不是在布线阶段补。
纵向分析:PCB 电源设计问题怎么演进到现在
早期数字板的电源设计更多是 DC 问题。电压轨数量少,电流不大,逻辑速度也没有把边沿频谱推得很高。工程师关心的是线宽够不够、铜皮够不够、稳压器能不能带得动负载。那时的失效多是压降太大、局部发热、稳压器不稳定。
后来,高速数字和 BGA 把问题推进了一层。芯片 I/O 变多,核心电压下降,电流上升,BGA 焊球和过孔阵列把供电路径压缩到很小的区域。电源不再只看 DC IR drop,还要看瞬态电流经过有限电感时造成的电压塌陷。TI 的 66AK2G1x PDN 应用报告直接把 PCB 称为系统级 PDN 的关键部分,并把 stack-up、静态 IR drop、动态 PDN 分析和检查清单列为完整流程的一部分。
再往后,FPGA、SoC、GPU、AI 加速器和高速 SerDes 让电源轨数量继续增加。一个大器件可能有核心、I/O、PLL、收发器模拟电源、收发器终端电源、DDR、参考时钟、ADC/DAC 等多类轨。AMD 的 UG949 说明了自适应 SoC 的特殊性:不同用户设计、频率和时钟域会让功耗需求变化很大,因此需要用 XPE/PDM 等工具估算功耗,并在必要时做 PDN 仿真,而不能只拿通用电容表照抄。
当边沿速度继续提高后,板级电容的作用频段也被重新理解。Intel/Altera 的 AN 958 采用频域目标阻抗方法(FDTIM)来确定板级去耦需求。它的关键意思不是「电容越多越好」,而是:在目标频率范围内,让有效 PDN 阻抗低于目标阻抗。Intel 的 PDN 工具文档还明确指出,板级去耦电容在高频会被安装电感、平面扩散电感、BGA via 电感和封装寄生限制;再往上,更多依赖封装电容和片上电容。
现在,高速高密 PCB 的电源设计已经进入 PI/SI/thermal/reliability 联合问题阶段。电源噪声会转化成 SerDes 抖动,会调制 PLL/ADC/DAC,会通过返回路径影响串扰和 EMI,会通过局部电流密度影响温升和可靠性。Tektronix 的电源完整性资料把 PDN 定义为从 VRM 到芯片焊盘之间的完整互连系统,并强调电源轨噪声会影响高速数据线抖动。这个判断在工程上很重要:看眼图闭合或链路误码时,不能只查通道,也要查供电。
这个演进可以压缩成四个阶段:
| 阶段 | 核心问题 | 典型设计动作 | 典型漏项 |
|---|---|---|---|
| DC 供电阶段 | 电流够不够、压降大不大 | 线宽、铜厚、稳压器容量 | 不看瞬态 |
| 去耦经验阶段 | 局部开关电流导致电压波动 | 每个电源脚旁放 0.1 uF、加 bulk | 不看 ESL/安装电感/反谐振 |
| PDN 目标阻抗阶段 | 在频域维持低阻抗 | Ztarget、板级去耦、平面电容、仿真 | 把电容数量当目标 |
| 系统级 PI 阶段 | 电源噪声影响 SI、EMI、热和可靠性 | SI/PI 联合仿真、测量、功耗估算、sequencing | 架构后期才想电源 |
横向分析:高速高密 PCB 电源设计的主要问题
1. 电源架构:轨太多,不能只靠经验合并
高速高密板上最先出错的不是 layout,而是 power tree。轨的定义、合并、上电顺序、监测、裕量、负载分类没有想清楚,后面无论怎么堆电容都很难救。
常见问题:
- 核心电源、PLL/SerDes 模拟电源、I/O 电源、DDR 电源被过度合并。
- 只按稳压器电流能力选型,不按噪声、瞬态响应、远端 sense、环路稳定性选型。
- 没有为每路关键电源预留电流检测,导致样机阶段无法判断真实负载。
- 电源时序只靠 PMIC 默认配置,没有和芯片 data sheet 的 power-on/off sequence 对齐。
- 多个大负载共轨时,没有做 transfer impedance 和噪声传播评估。
AMD UG949 的建议很直接:先估算具体设计的功耗,选择满足噪声和电流要求的稳压器,必要时做 PDN 仿真,并建议增加 shunt resistor 或 PMBus/current monitor 来监测每路电源。
2. 目标阻抗:不要把「电容数量」当成设计目标
PDN 的基本目标是让负载电流变化时,电源轨电压仍留在允许范围内。工程上常用一阶估算:
1Ztarget = 允许电压波动 / 最大瞬态电流阶跃
这个公式简单,但它会迫使设计者问一个更重要的问题:负载到底会在多快的时间内拉多少电流?如果这个问题答不上来,电容表就只是在猜。
Intel/Altera AN 958 推荐用频域目标阻抗方法决定板级去耦。它还指出,目标频率通常到几十 MHz 到一两百 MHz 量级,再往上板级电容会因为平面扩散电感、封装安装电感等限制失效,主要靠封装和片上电容承担。
这对检查很关键。很多设计评审只问「0.1 uF 放够了吗」,但正确问题应该是:
- 每条关键电源轨的允许 ripple/noise 是多少?
- 最大瞬态电流阶跃来自哪里?FPGA fabric?DDR burst?SerDes CDR?ADC/DAC?
- VRM 在哪个频段开始变成感性?
- bulk、mid-frequency ceramic、平面电容、封装电容之间的频段接力是否连续?
- 是否出现高 Q 反谐振峰?
3. 去耦电容:位置和安装电感比标称容量更要命
去耦电容不是理想电容。TI 报告强调真实电容要按 RLC 看,包含 ESR 和 ESL;电容安装的 pad、trace、via 也会贡献电感和电阻。ADI 的 AN-1142 也提醒,简单撒很多不同容值并不等于低阻抗,选对值、类型和 stack-up 同样重要。
在高速高密板里,常见错误有:
- 电容离 BGA 太远,电容值看起来够,实际 loop inductance 太大。
- 多个电容共用一个 via,造成 via starvation 和共享阻抗。
- 电容一端用长细线接 power plane,另一端用长细线接 ground plane。
- 小封装电容没有靠近负载,高频去耦被安装电感吃掉。
- 盲目堆多种容值,产生反谐振峰,反而在某些频点抬高阻抗。
优先级应该是:
- 先保证电源/地平面对靠近,形成低电感平面电容。
- 再把高频/中频陶瓷电容放在 BGA 背面或最近可达位置。
- 对每个关键电容尽量做到一电容一组 power/ground via。
- 连接 trace 短、宽,via 靠 pad,条件允许时用 via-in-pad。
- 最后才讨论电容值组合和 BOM 优化。
4. Stack-up:层叠不是机械约束,而是 PDN 的一部分
层叠决定了回流路径、电源-地平面电容、平面扩散电感、去耦 loop inductance 和 EMI。TI 建议 power/ground plane pair 要紧耦合、尽量 solid,并使用薄介质提高平面电容。Intel/Altera 也把 plane capacitance 作为高频去耦的重要方式,给出平行板电容模型:
1C = epsilon0 * epsilonr * A / h
这意味着增加重叠面积、减小平面间距、提高介电常数都会提高平面电容;但真正的工程收益不是电容数值本身,而是低电感、高频可用。
高速高密板的 stack-up 检查重点:
- 高优先级电源轨是否靠近芯片所在面?
- 核心电源和 GND 是否形成紧耦合平面对?
- 高速信号层是否有连续参考 GND?
- 大面积 plane split 是否切断回流路径?
- 电源岛边界是否靠近高速信号、参考时钟或敏感模拟线?
- BGA 区域是否因为逃逸布线打碎了电源/地平面?
5. BGA/HDI 供电:真正的瓶颈经常在 via field
高速高密板里,BGA 下面的供电路径是最容易被低估的区域。稳压器输出和大平面再好,如果进入 BGA 的 via 数不足、via 排布太差、反焊盘切碎参考平面,芯片焊球处仍然会掉压、噪声增大。
TI 报告专门提到 via starvation:当一个 via 或 via 网络无法供应足够电流时,就会成为供电瓶颈。因此高密 BGA 需要检查:
- 每个高电流 rail 从 plane 到 BGA ball 的 via 数量是否足够。
- via 的电流承载能力是否经过仿真或规则核算。
- 是否多颗电容共用同一过孔,造成共享阻抗。
- HDI 盲埋孔、via-in-pad、microvia stack 是否满足制造可靠性。
- BGA fanout 是否为了信号逃逸牺牲了关键电源/地通道。
一句话:BGA 供电不是看「铜皮面积」,而是看「从芯片焊球往外看见的阻抗」。
6. 开关电源布局:噪声源要被关在自己的区域里
开关电源的 layout 不只是效率问题,也是整板 PI/SI 问题。ADI 的 AN-136 强调,开关电源位置和布局要在早期规划;供电输出应靠近负载以降低互连阻抗和压降;敏感信号不要从电源开关区域下面穿过;多层板中可用内部地/电源层屏蔽小信号层。
高速高密板的常见错误:
- VRM 被挤到板边,离高电流负载太远。
- 输入高 di/dt 回路和输出高电流回路面积太大。
- SW node 铜皮为了散热铺得很大,结果成为强噪声天线。
- 补偿网络、FB 节点、remote sense 线被开关节点或大电流路径污染。
- 多相电源相位、布局和电流均流没有验证。
检查时要把电源分成三类区域:高 di/dt 热回路、低噪声反馈/补偿回路、输出大电流低阻抗路径。三者不能混在一起。
7. 敏感电源:PLL、SerDes、ADC/DAC、参考时钟不能粗暴共轨
高速高密 PCB 最怕把「电压一样」理解成「可以直接合并」。同样是 0.85 V 或 1.8 V,数字核心、SerDes 模拟、PLL、ADC/DAC、参考时钟缓冲器对噪声的敏感性完全不同。
AMD UG583 的 PS-GTR 检查表提到,PS_MGTRAVCC 这种 transceiver 供电不与其他非 transceiver 负载共享,可以降低超出噪声要求的风险,并给出电源噪声要求和滤波建议。这个思路可以推广到所有高速敏感轨:
- SerDes analog rail 优先独立或经滤波隔离。
- PLL/refclk 电源不要和大电流数字 rail 共阻抗。
- ADC/DAC 参考和模拟电源要按器件手册做局部去耦和低噪声供电。
- ferrite bead 不是万能隔离器,必须检查 DC 压降、饱和电流、阻抗频段和反谐振。
- 低噪声 LDO 能降低高频噪声,但热和 dropout 裕量要一起算。
8. 电源噪声会变成 SI 问题
电源噪声不只表现为 rail ripple。它会通过驱动器阈值、PLL/VCO、CDR、SerDes TX/RX、ADC aperture jitter 等路径变成时序噪声或幅度噪声。Tektronix 的资料指出,电源轨噪声会影响高速数据线 jitter,调试 SerDes 时应把电源和眼图、TIE spectrum、频谱一起看。
因此高速板调试时,如果看到:
- SerDes BER 偶发恶化;
- 眼图在某些模式下周期性收缩;
- PLL lock 不稳定;
- DDR margin 随负载变化;
- ADC spur 和某个电源开关频率相关;
不要只查阻抗、走线或固件,也要查 PDN 频谱、负载瞬态和共阻抗耦合。
横纵交汇洞察
洞察一:电源完整性不是去耦电容问题,而是阻抗路径问题
高速高密 PCB 的供电路径从 VRM 到 die,中间包含电感、电阻、电容和多级谐振。哪个环节阻抗最高,哪个环节就是瓶颈。电容标称值只是很小的一部分。
所以评审时不要问「每个电源脚有没有 0.1 uF」,而要问:
这个电源 rail 在芯片焊球处,从 DC 到目标频率范围内的阻抗曲线是什么样?
洞察二:高密设计里,空间分配就是电源设计
VRM 位置、电容位置、BGA 背面区域、power/ground plane pair、HDI via 通道都需要空间。等高速信号、连接器、结构件都摆完,再想把电源补进去,通常只能得到一个勉强可用但不可控的 PDN。
高密 PCB 里,最贵的资源不是电容,而是低电感路径。
洞察三:仿真和测量要闭环
仿真不是为了生成漂亮图,而是为了回答四个问题:
- DC IR drop 是否满足最坏负载?
- 动态负载下 package ball 电压是否在容限内?
- PDN 阻抗是否有危险反谐振峰?
- 噪声是否会通过 transfer impedance 传到敏感 rail?
测量也不是只拿示波器探一下 ripple。需要按 rail 逐项测 turn-on/off、overshoot、undershoot、ripple spectrum、负载阶跃响应、PDN impedance,必要时把 jitter/eye 和 rail noise 同步观察。
高速高密 PCB 电源设计检查清单
下面这份清单按项目阶段组织,可直接用于 schematic review、layout review、PI review 和 bring-up。
A. 电源架构与规格
| 检查项 | 判定标准 |
|---|---|
| 电源轨清单完整 | 每个 IC rail 标明电压、容差、最大/典型电流、瞬态电流、噪声要求、上电顺序 |
| 负载分类完成 | 核心、I/O、DDR、SerDes、PLL、ADC/DAC、reference clock、always-on 分开标注 |
| power tree 明确 | 每路 VRM/LDO/PMIC 输出、合并关系、滤波关系、负载位置清楚 |
| 电源时序符合 data sheet | power-on/off sequence、reset release、PGOOD、enable 逻辑已核对 |
| 电源监测预留 | 关键 rail 有 shunt、PMBus、test point 或 current monitor |
| 远端 sense 策略明确 | sense 点放在负载近端,走线 Kelvin,避免经过大电流路径 |
| 裕量定义清楚 | VRM ripple、load transient、DC IR drop、测量误差共同纳入 rail tolerance |
B. VRM/PMIC/LDO 设计
| 检查项 | 判定标准 |
|---|---|
| VRM 电流能力足够 | 峰值、热降额、输入电压最差值、相数均流均检查 |
| 瞬态响应满足负载 | step load、slew rate、undershoot/overshoot 经过仿真或供应商模型确认 |
| 环路稳定性验证 | bode/phase margin 或供应商推荐补偿网络确认 |
| 输入电容靠近功率级 | 输入高 di/dt 回路面积最小 |
| SW node 受控 | 铜皮不过度扩大,远离敏感线、反馈线、参考时钟 |
| FB/COMP 远离噪声 | 反馈和补偿节点短、干净,有 GND shielding |
| LDO 热设计通过 | dropout、功耗、铜皮散热、环境温度 worst case 已计算 |
C. Stack-up 与平面
| 检查项 | 判定标准 |
|---|---|
| 高优先级 rail 靠近器件面 | 核心/大电流 rail 在 stack-up 上半区或靠近芯片侧 |
| power/GND plane pair 紧耦合 | 介质尽量薄,平面重叠面积足够 |
| GND 平面连续 | 高速信号参考层下方没有长缝、割裂或孤岛 |
| 电源岛边界受控 | 高速信号不跨电源岛边界;必要时用 stitching caps/return vias |
| 平面电容纳入 PI | 不只算离散电容,也看 plane capacitance 和 spreading inductance |
| 大电流 plane 有热裕量 | 铜厚、温升、过孔、连接颈缩已检查 |
D. BGA/HDI 供电路径
| 检查项 | 判定标准 |
|---|---|
| BGA power via 数量足够 | 每个高电流 rail 有足够 via,避免 via starvation |
| GND via 密度足够 | 高速和电源返回路径都有低阻抗 GND 通道 |
| 电容 via 不共享 | 关键去耦尽量一颗电容一组独立 power/GND via |
| BGA 背面去耦区保留 | 核心 rail 高频/中频去耦优先放在芯片背面 |
| via-in-pad 工艺可控 | 填孔、电镀、平整度、可靠性和成本已确认 |
| fanout 不破坏平面 | BGA escape 没有把关键 power/GND plane 打碎 |
| HDI 堆叠可靠性检查 | stacked microvia、skip via、埋孔结构经过制造商确认 |
E. 去耦网络
| 检查项 | 判定标准 |
|---|---|
| 每 rail 有目标阻抗 | Ztarget = 允许 ripple / 最大瞬态电流阶跃 |
| 频段分工明确 | VRM、bulk、mid-frequency ceramic、plane、package/on-die 电容各自覆盖频段清楚 |
| 电容模型真实 | 使用含 ESR/ESL/SRF 的模型,不只用理想 C |
| 反谐振峰检查 | 不同容值组合没有形成高 Q 阻抗峰 |
| 安装电感最小 | 短宽连接、via 靠 pad、必要时双 via 或 via-in-pad |
| 电容位置分层 | bulk 在电源入口或 VRM 输出,中频/高频靠近负载 |
| BOM 可制造 | 封装尺寸、耐压、DC bias、温度系数、可采购性检查 |
F. 敏感轨隔离
| 检查项 | 判定标准 |
|---|---|
| PLL/refclk rail 隔离 | 不与大电流数字负载共享高阻抗路径 |
| SerDes analog rail 独立评估 | ripple/noise、滤波、去耦和共轨风险单独检查 |
| ADC/DAC rail 按手册布局 | reference、analog、clock 供电去耦和地回流明确 |
| ferrite bead 合理 | 阻抗频段、DC 电流、压降、饱和、热和反谐振已检查 |
| LDO 噪声和 PSRR 匹配 | 开关频率及其谐波落在 LDO 有效抑制范围内 |
| 噪声源空间隔离 | VRM、inductor、SW node 远离模拟、时钟、SerDes refclk |
G. 仿真与分析
| 检查项 | 判定标准 |
|---|---|
| DC IR drop | 最坏电流、温度、电阻率、铜厚、via 数量下通过 |
| 电迁移/电流密度 | plane、neck-down、via、connector pin 不超限 |
| PDN 阻抗 | 芯片焊球处 Z(f) 低于目标阻抗,频段定义合理 |
| Transfer impedance | 多负载共轨、噪声源到敏感 rail 的耦合已评估 |
| Load transient | VRM + PCB + package 组合瞬态响应满足容限 |
| SI/PI 联合 | SerDes/DDR/clock 的 jitter、eye、BER 与 rail noise 关联检查 |
| 热仿真 | VRM、LDO、inductor、connector、BGA 下方热点检查 |
H. Layout 细节
| 检查项 | 判定标准 |
|---|---|
| 大电流路径短宽 | VRM 到负载和输出电容路径低阻低感 |
| 高 di/dt 回路最小 | buck 输入电容、FET、inductor 回路面积受控 |
| 反馈线 Kelvin | FB/sense 线不与大电流路径共享铜 |
| 测试点可用 | 每路关键 rail 有靠近负载的低电感测量点 |
| 分割平面谨慎 | 不在高速信号下方开缝,不制造长窄电源颈 |
| 热过孔充足 | LDO、PMIC、power module、EPAD 有足够 GND/thermal via |
| 装配规则通过 | 电容太密、via-in-pad、BGA 背面器件高度和可返修性已确认 |
I. 样机 Bring-up 与测量
| 检查项 | 判定标准 |
|---|---|
| 上电顺序实测 | 每路 rail ramp、PGOOD、reset release 波形记录 |
| 静态电流对比 | 实测电流与估算/仿真差异解释清楚 |
| ripple/noise 测量 | 用低噪声电源探头或 50 ohm 方法,避免长地线探头 |
| 负载阶跃测试 | 对核心 rail、DDR rail、SerDes rail 做动态响应测试 |
| 频谱分析 | ripple 频率与 VRM switching、clock、SerDes spur 关联 |
| 眼图/抖动关联 | 高速链路问题同步看 rail noise 和 jitter/TIE |
| 温升记录 | 满载、环境高温、风扇失效或低风量场景下确认 |
最容易翻车的 12 个点
- 电源轨合并只看电压,不看噪声敏感性。
- VRM 放得太远,输出电容离负载也远。
- BGA 背面空间被信号/结构占掉,关键去耦放不进去。
- 多个电容共用 via,表面看电容多,实际共享电感大。
- 盲目堆不同容值,产生反谐振峰。
- power/GND plane pair 间距太大,高频平面电容不足。
- 高速信号跨过电源岛或地平面开缝。
- ferrite bead 用来隔离敏感轨,但没检查饱和、压降和反谐振。
- 只做 DC IR drop,不做动态 PDN。
- 样机测 ripple 用长地线普通探头,测到的是探头回路噪声。
- SerDes/DDR margin 出问题只查 SI,不查供电噪声。
- 电源设计最后才介入,低电感路径已经没有空间。
结论
高速高密 PCB 的电源设计,本质上是一个跨频段、跨结构、跨学科的阻抗控制问题。低频靠 VRM,中频靠 bulk 和陶瓷电容,高频靠平面电容、封装电容和片上电容;DC 看 IR drop,AC 看目标阻抗,系统层面还要看噪声如何通过 PDN 影响 SI、EMI、热和可靠性。
我的工程建议是把电源设计拆成三条主线同步推进:
第一条是架构线:power tree、轨合并、时序、监测、VRM/LDO 选择。
第二条是物理线:stack-up、plane pair、BGA/HDI via、电容位置、低电感路径。
第三条是验证线:DC IR drop、PDN impedance、load transient、transfer impedance、样机测量和高速链路关联调试。
只要这三条线没有同时闭合,所谓「电源设计完成」就只是原理图完成,不是工程完成。
信息来源
- Intel/Altera, AN 958 Board Design Guidelines, Target Impedance Decoupling Method: https://docs.altera.com/r/docs/683073/current/an-958-board-design-guidelines/target-impedance-decoupling-method
- Intel/Altera, AN 958 Board Design Guidelines, Determining fTARGET: https://docs.altera.com/r/docs/683073/current/an-958-board-design-guidelines/determining-the-ftarget
- Intel/Altera, AN 958 Board Design Guidelines, Plane Capacitance: https://docs.altera.com/r/docs/683073/current/an-958-board-design-guidelines/plane-capacitance
- Intel/Altera, AN 958 Board Design Guidelines, Minimization Parasitic Inductances: https://docs.altera.com/r/docs/683073/current/an-958-board-design-guidelines/minimization-parasitic-inductances
- AMD, UG949 UltraFast Design Methodology Guide, Power Distribution System: https://docs.amd.com/r/en-US/ug949-vivado-design-methodology/Power-Distribution-System
- AMD, UG949, Power Supply Paths on Devices: https://docs.amd.com/r/en-US/ug949-vivado-design-methodology/Power-Supply-Paths-on-Devices
- AMD, UG583 UltraScale Architecture PCB Design User Guide, PCB Design Checklist: https://docs.amd.com/r/en-US/ug583-ultrascale-pcb-design/PCB-Design-Checklist
- Texas Instruments, 66AK2G1x: EVMK2GX General-Purpose EVM Power Distribution Network Analysis, SPRACE6: https://www.ti.com/lit/an/sprace6/sprace6.pdf
- Analog Devices, AN-136 PCB Layout Considerations for Non-Isolated Switching Power Supplies: https://www.analog.com/en/resources/app-notes/an-136.html
- Analog Devices, AN-1142 Techniques for High Speed ADC PCB Layout: https://www.analog.com/en/resources/app-notes/an-1142.html
- Analog Devices, Basic Guidelines for Layout Design of Mixed-Signal PCBs: https://www.analog.com/en/resources/analog-dialogue/articles/what-are-the-basic-guidelines-for-layout-design-of-mixed-signal-pcbs.html
- Tektronix, Analyzing Power Integrity on a Power Distribution Network: https://www.tek.com/application/analyzing-power-integrity-on-pdns
- Tektronix, Using Mixed Signal Oscilloscopes to Find and Diagnose Jitter Caused by Power Integrity Problems: https://www.tek.com/en/documents/application-note/using-mixed-signal-oscilloscopes-to-find-and-diagnose-jitter-caused-by-power-integrity-problems
中英术语对照表
| 中文术语 | 英文术语 / 缩写 | 说明 |
|---|---|---|
| 印制电路板 | Printed Circuit Board, PCB | 承载器件、走线、平面和过孔的板级互连平台 |
| 电源分配网络 | Power Distribution Network, PDN | 从稳压器到芯片焊球/管脚的完整供电网络 |
| 电源分配系统 | Power Distribution System, PDS | 与 PDN 接近,常用于 FPGA/SoC 厂商文档 |
| 电源完整性 | Power Integrity, PI | 关注电源噪声、压降、阻抗、瞬态响应和稳定性的工程领域 |
| 信号完整性 | Signal Integrity, SI | 关注高速信号波形、阻抗、反射、串扰、抖动和误码的工程领域 |
| 电磁干扰 | Electromagnetic Interference, EMI | 电磁噪声对本系统或外部系统造成的干扰 |
| 电源轨 | Power Rail | 某一路具体供电网络,例如 0.85 V core rail |
| 稳压模块 | Voltage Regulator Module, VRM | 把输入电源转换成目标电压的稳压电源模块 |
| 电源管理芯片 | Power Management IC, PMIC | 集成多路稳压、时序、监测和保护的电源管理器件 |
| 低压差线性稳压器 | Low-Dropout Regulator, LDO | 常用于低噪声或局部二级稳压的线性稳压器 |
| 降压转换器 | Buck Converter | 常见开关电源拓扑,把高电压转换成低电压 |
| 开关节点 | Switching Node, SW Node | Buck 中电压高速切换的节点,是强噪声源 |
| 电源良好信号 | Power Good, PGOOD | 表示某路电源已进入有效范围的状态信号 |
| 远端采样 | Remote Sense | 在负载近端采样电压,补偿供电路径压降 |
| 开尔文连接 | Kelvin Connection | 电流路径和电压采样路径分开,降低测量/反馈误差 |
| 目标阻抗 | Target Impedance, Ztarget | 为满足允许电压波动而设定的 PDN 阻抗上限 |
| 直流压降 | DC IR Drop | 直流电流流过电阻路径造成的电压下降 |
| 负载瞬态 | Load Transient | 负载电流快速变化时电源轨的动态响应 |
| 传递阻抗 | Transfer Impedance | 一个节点的噪声通过 PDN 耦合到另一个节点的阻抗表征 |
| 去耦电容 | Decoupling Capacitor | 为负载瞬态提供局部电荷、降低局部阻抗的电容 |
| 大容量电容 | Bulk Capacitor | 主要覆盖低频/中低频能量需求的大容量电容 |
| 等效串联电阻 | Equivalent Series Resistance, ESR | 电容等效模型中的串联电阻 |
| 等效串联电感 | Equivalent Series Inductance, ESL | 电容及其安装路径的等效串联电感 |
| 自谐振频率 | Self-Resonant Frequency, SRF | 电容阻抗由容性转为感性的频率点 |
| 反谐振 | Anti-Resonance | 多个电容/平面组合在某些频点形成的阻抗尖峰 |
| 平面电容 | Plane Capacitance | 电源平面和地平面之间形成的分布电容 |
| 电源/地平面对 | Power/Ground Plane Pair | 紧邻的电源平面和地平面组合,用于降低 PDN 电感 |
| 层叠 | Stack-up | PCB 各信号层、介质层、电源层和地层的排列结构 |
| 扇出 | Fanout | BGA/密脚器件从焊盘逃逸到可布线区域的连接方式 |
| 球栅阵列封装 | Ball Grid Array, BGA | 以焊球阵列作为外部连接的封装形式 |
| 高密度互连 | High Density Interconnect, HDI | 使用微孔、细线宽线距、多阶孔等实现高密布线的 PCB 技术 |
| 过孔 | Via | 连接不同 PCB 层的垂直导通结构 |
| 微孔 | Microvia | HDI 中常见的小尺寸激光孔 |
| 盘中孔 | Via-in-Pad | 过孔直接放在焊盘内的工艺 |
| 过孔不足 | Via Starvation | 供电/回流过孔数量或位置不足导致路径阻抗过高 |
| 电流密度 | Current Density | 单位截面积承载的电流,关系到温升和可靠性 |
| 电迁移 | Electromigration | 金属中原子受电流推动迁移造成的长期可靠性问题 |
| 铁氧体磁珠 | Ferrite Bead | 常用于电源隔离和高频噪声抑制的无源器件 |
| 反馈节点 | Feedback Node, FB | 稳压器用于采样输出电压的反馈节点 |
| 补偿网络 | Compensation Network, COMP | 稳压器环路稳定性相关的补偿电路 |
| 串行器/解串器 | Serializer/Deserializer, SerDes | 高速串行通信接口的收发结构 |
| 双倍数据率存储器 | Double Data Rate, DDR | 常见高速存储接口类型 |
| 锁相环 | Phase-Locked Loop, PLL | 用于时钟产生、恢复和频率合成的电路 |
| 模数/数模转换器 | ADC/DAC | 模拟-数字转换器 / 数字-模拟转换器 |
| 参考时钟 | Reference Clock, Refclk | 为高速接口或时钟系统提供基准的时钟信号 |
| 纹波/噪声 | Ripple / Noise | 电源轨上周期性或随机性的电压扰动 |
| 抖动 | Jitter | 信号边沿在时间位置上的偏移 |
| 眼图 | Eye Diagram | 评估高速链路波形裕量的叠加图形 |
| 误码率 | Bit Error Rate, BER | 数据传输中错误 bit 占总 bit 的比例 |
| 时间间隔误差 | Time Interval Error, TIE | 实际边沿与理想边沿之间的时间误差 |
| 调试上电 | Bring-up | 样机首次上电、验证和问题定位过程 |
| 电源管理总线 | Power Management Bus, PMBus | 用于电源配置、遥测和控制的数字管理接口 |
| 热过孔 | Thermal Via | 用于把热量导到内层或背面的过孔 |
| 噪声裕量 | Noise Margin | 系统在不出错前可承受的噪声余量 |